檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "Yung-Chin Yang".ecommittee (精準) and cdept.raw="機械工程系"
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The composite cathode with lanthanum based iron and cobalt-containing perovskite La0.6Sr0.4Co0.2Fe0…
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化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)，為現在半導體製程薄膜階段主要方式，原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度，真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟，而本實驗將使用常…
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本研究利用常壓電漿噴射束系統(Atmospheric Pressure Plasma Jet, APPJ)製備氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-doped CeO2, GDC)擴散阻障層(Dif…
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本研究使用射頻磁控濺鍍設備(RF Magnetron Sputtering)，並分為純氬氣與通入6.2 sccm與12.5 sccm氧氣氣氛，搭配CeO2靶材以功率100 W沉積氧化鈰薄膜於矽晶片、…
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氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-Doped CeO2, GDC)固態電解質材料被認為最有潛力可取代傳統氧化釔安定氧化鋯(Yttria-Stabilized Zirconia, YSZ)電解質並應用於中…
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本研究利用常壓噴射束電漿(Atmospheric pressure plasma jet, APPJ)製備氧化釓掺雜氧化鈰（Gd2O3-doped CeO2, GDC）奈米顆粒，並以硝酸鈰與硝酸釓混…